IFM易福門傳感器入門級初級知識

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光傳感器及光敏元件
光傳感器主要由光敏元件組成。目前光敏元件發展迅速、品種繁多、應用廣泛。場出售的有光敏電阻器、光電二管、光電三管、光電耦合器和光電池等。
1 光敏電阻器
光敏電阻器由能透光的半導體光電晶體構成 ，因半導體光電晶體成分不同，又分為可見光光敏電阻（硫化鎘晶體）、紅外光光敏電阻（砷化鎵晶體）、和紫外光光敏電阻（硫化鋅晶體）。當敏感波長的光照半導體光電晶體表面，晶體內載流子增加，使其電導率增加（即電阻減?。?。
光敏電阻的主要參數：
◆光電流 、亮阻：在一定外加電壓下，當有光（100lx照度）照射時，流過光敏電阻的電流稱光電流；外加電壓與該電流之比為亮阻，一般幾kΩ～幾十kΩ。
◆暗電流、暗阻：在一定外加電壓下，當無光（ 0 lx照度）照射時，流過光敏電阻的電流稱暗電流；外加電壓與該電流之比為暗阻，一般幾百kΩ～幾千kΩ以上。
◆zui大工作電壓：一般幾十伏至上百伏。
◆環境溫度：一般-25℃至 +55℃，有的型可以-40℃至+70℃。
◆額定功率（功耗）：光敏電阻的亮電流與外電壓乘積；可有5mW至300mW多種規格選擇。
◆光敏電阻的主要參數還有響應時間、靈敏度、光譜響應、光照特性、溫度系數、伏安特性等。
值得注意的是，光照特性（隨光照強度變化的特性）、溫度系數（隨溫度變化的特性）、伏安特性不是線性的，如以CdS（硫化鎘）光敏電阻的光阻有時隨溫度的增加而增大，有時隨溫度的增加又變小。
硫化鎘光敏電阻器的參數：
型規格 MG41-22 MG42-16 MG44-02 MG45-52
環境溫度（℃） -40～+60 -25～+55 -40～+70 -40～+70
額定功率（mW） 20 10 5 200
亮阻，100lx（kΩ） ≤2 ≤50 ≤2 ≤2
暗阻， 0lx（MΩ） ≥1 ≥10 ≥0.2 ≥1
響應時間 （ms） ≤20 ≤20 ≤20 ≤20
zui高工作電壓（v） 100 50 20 250
部分類型CdS光敏電阻符及外形圖
2 光電二管
和普通二管相比，除它的管芯也是一個PN結、具有單向導電性能外，其他均差異很大。首先管芯內的PN結結深比較淺（小于1微米），以提高光電轉能力；第二PN結面積比較大，電面積則很小，以有利于光敏面多收集光線；第三光電二管在外觀上都有一個用有機玻璃透鏡密封、能匯聚光線于光敏面的“窗口"；所以光電二管的靈敏度和響應時間遠遠優于光敏電阻。
常見的幾種光電二管及符如下：
2DU有前、后、環三個。其中環是為了減小光電二管的暗電流和增加工作穩定性而設計增加的，應用時需要接電源正。光電二管的主要參數有：zui高工作電壓（10～50V）,暗電流（≤0.05～1微安），光電流（＞6～80微安），光電靈敏度、響應時間（幾十ns～幾十μs）、結電容和正向壓降等。

光電二管的優點是線性好，響應速度快，對寬范圍波長的光具有較高的靈敏度，噪聲低；缺點是單獨使用輸出電流（或電壓）很小，需要加放大電路。適用于通訊及光電控制等電路。
光電二管的檢測可用萬用表R×1K擋，避光測正向電阻應10KΩ～200 KΩ，反向應∞，去掉遮光物后向右偏轉角越大，靈敏度越高。
光電三管可以視為一個光電二管和一個三管的組合元件，由于具有放大功能，所以其暗電流、光電流和光電靈敏度比光電二管要高得多，但結構原因使結電容加大，響應特性變壞。廣泛應用于低頻的光電控制電路。
常見的光電三管形狀及符如下：
半導體光電器件還有MOS結構，如掃描儀、攝象頭中常用的CCD（電荷耦合器件）就是集成的光電二管或MOS結構的陣列。

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